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LLW DRAM 全称 Low Latency Wide I/O DRAM，是一种高性能分外内存，拥有数量浩瀚的 I/O 引脚，具备高带宽低延迟低功耗的上风。
三星电子流传宣传，其 LLW DRAM 内存产品可实现 128GB/s 的带宽，同时能耗仅有 1.2pJ/bit。
▲ 三星半导体展示的 LLW DRAM 内存构造观点
据IT之家此前宣布，与苹果 Vision Pro 头显上 R1 芯片配套的 LLW DRAM 内存由 SK 海力士独家供应，可供应 256GB/s 带宽。
（图片来自网络侵删）
该内存单颗容量为 1GB，I/O 引脚数量是传统内存的八倍。如果以目前 LPDDR5 内存的 64bit 作为根本，那 SK 海力士供应的 LLW DRAM 内存位宽可达 512bit。
▲ SK 海力士 LLW DRAM 内存构造。图源 Yole
韩媒宣布提到，苹果曾于 2022 年同三星电子就 LLW DRAM 供应进行过洽谈，但终极 SK 海力士得到了这份订单。
三星电子正积极开拓 LLW DRAM 内存技能，目前正处于小规模生产阶段，目标未来从 SK 海力士的手中攫取这一细分领域的市场份额。
