若何计算IGBT的损耗和结温？示意图与公式结合讲解清楚

1. IGBT损耗Ploss打算根本知识

图1 IGBT导通损耗和开关损耗示意图

如上图1所示，IGBT的损耗Ploss紧张分为导通损耗Pcond和开关损耗Psw两部分。

1.1 IGBT导通损耗Pcond

IGBT的导通损耗Pcond紧张与电流Ic、饱和压降Vce和导通韶光占空比D有关，如公式1所示：

个中，电流Ic(t)和占空比D(t)都是随韶光变革的函数，而IGBT饱和压降Vce(Ic,Tj)，不仅与电流Ic大小，还与IGBT此时结温Tj干系，如下图2所示：

图2 不同温度IGBT饱和压降示意图

为简化打算，先将饱和压降Vce(Ic,Tj)近似为Ic的线性函数Vce(Ic)如公式2所示：

个中，rT为近似曲线的斜率，即∆Vce/∆Ic，VT0为该曲线与X轴的交点电压值。

图3 IGBT饱和压降随不同结温Tj的变革

考虑到Vce与Tj近似线性的关系，如上图3所示，将Tj的影响因子加入公式（2），得到Vce(Ic,Tj)饱和压降的线性函数，如公式（3）、（4）、（5）所示：

个中，TCV和TCr分别为VT0和rT的温度影响因子，可根据25°C和125°C（或150°C）两点温度打算而得。

基于上述思路，我们可以将IGBT的导通损耗Pcond打算出来。

1.2 IGBT开关损耗Psw

IGBT的开关损耗Psw紧张与母线电压Vcc、电流Ic、开关频率fsw、结温Tj、门级电阻Rg和回路电感Lce有关，如公式6所示：

个中，Esw_ref为已知参考电压电流、门级电阻、温度Tj和回路电感下的损耗值，Ki为电流折算系数，Kv为电压折算系数，K(Tj)为温度折算系数，K(Rg)和K(Ls)分别为门级电阻和回路电感的折算系数。

常日而言，折算系数Ki、K(Tj)和K(Rg)，可由Datasheet干系曲线直接估算出来，以1200V/600A的半桥模块SEMiX603GB12E4p为例进行剖析，如下：

图4 IGBT开关损耗Esw随电流Ic的变革

图5 IGBT开关损耗Esw随结温Tj的变革

由图4所示，该IGBT模块额定电流为600A，取Ki=1.0，在800A（565Arms）电流以下，两者匹配度很好；在800A以上，不常用，属于过流等极度工况。

由图5所示，IGBT的开关Esw与结温Tj之间关系，可用线性函数去拟合，如下公式：

一样平常IGBT的TCsw约为0.003，以图5的损耗数据为例，也可由两点温度去算TCsw，即：

关于门级电阻Rg的折算系数K(Rg)，是工程师很关心，也很随意马虎忽略的成分。
在Datasheet中都会有一组供参考的Rg_ref(Rgon/Rgoff)及其损耗数据Esw，而实际利用的门级阻值Rg_Spec，未必相同，此时如何折算呢？实在，思路也很大略。
以图6曲线为例，假定其Datasheet中参考的门级电阻为Rgon/Rgoff=1.5Ω，而实际利用的电阻为Rgon=4Ω和Rgoff=6Ω，则折算系数K(Rg)为：

由此可见，纯挚用Datasheet中参考的门级电阻去打算损耗，很可能与实际出入很大。

图6 不同门级电阻对开关损耗的影响

此外，IGBT的母线电压Vcc折算系数Kv相比拟较隐晦，无法直接从Datasheet中抓出来；同时，该值也会受到模块和母线杂散电感等其他成分的影响，很难估算，建议进行双脉冲损耗测试。
关于IGBT的折算系数Kv，赛米控的取值约在1.3~1.4。
图7是，赛米控1700V的SkiiP4智能功率模块(IPM)损耗测试的数据曲线，当Kv取1.0时，与测试数据差距较大；而Kv取1.4时，两者险些重合。

图7 不同母线电压Vcc与开关损耗Esw关系

末了，便是最随意马虎被忽略的回路电感折算系数K(Ls)。
Datasheet干系的损耗数据和曲线的测试，都是建立在模块厂家各自测试平台的回路电感参考值Ls（即模块寄生电感之外的主回路电感，包含功率母排和母线电容等的寄生电感）的根本上，而且门级的参考电阻Rgon/Rgoff也会深受该值的约束，如图8所示。

图8 回路电感Ls与IGBT参考值

此外，由于每个客户的设计和运用处所不同，其回路电感Ls也不尽相同，乃至差异很大。
尤其，当实际的回路电感Ls比Datasheet参考值大很多时，不仅影响本身的开关损耗，还会引起电压电流的应力问题；有时为了限定IGBT关断电压尖峰，不得不增加门级电阻Rg，以捐躯开关损耗为代价，去降落IGBT开关速率和电压尖峰。
因此，该值的影响很难去做量化评估，只能暂且让K(Ls)=1。
但是，在设计初期评估IGBT损耗时，应充分考虑实际设计的回路电感Ls与Datasheet参考值的差异大小，及其带来的损耗打算偏差。

至此，IGBT损耗打算的根本知识交待完毕，该损耗算法思路同样适用于FWD，只是上述各个影响因子的系数可能略有差别。

2. IGBT损耗打算举例

第一部分的根本知识，紧张剖析了某个开关周期中的损耗算法及其影响因子。
不同的电力电子拓扑和调制办法，对应不同的损耗打算公式。
在此，我们以两电平三相逆变器为例，结合赛米控的IGBT模块产品和官方损耗仿真软件SemiSel，打算IGBT在实际系统中不同工况下的损耗Ploss和结温Tj。

2.1 三相逆变器损耗的SemiSel仿真（范例工况）

图9 三相逆变器拓扑示意图

图10三相逆变器电流电压波形示意图

图11从均匀损耗Pv(av)到Tj(max)波形示意图

图12 Tj(max)随不同输出频率fout的变革

图13 三相逆变器SemiSel仿真把稳事变

图14 三相逆变器SemiSel仿真结果

图15 三相逆变在堵转时的散热器参数设置