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LDO——最基本的电源IC，是一种低压差线性稳压器，利用在其饱和区域内运行的晶体管或场效应管（FET），从运用的输入电压中减去逾额的电压，产生经由调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压坚持在其额定值高下100mV之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的LDO（低压降）稳压器常日利用功率晶体管（也称为通报设备）作为PNP。这种晶体管许可饱和，以是稳压器可以有一个非常低的压降电压，常日为200mV旁边；与之比较，利用NPN复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为2V旁边。负输出LDO利用NPN作为它的通报设备，其运行模式与正输出LDO的PNP设备类似；
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DC／DC——是指在直流电路中将一个电压值的电能变为另一个电压值的电能的装置，是一种新研制的小型化电源开关模块，它是采取微电子技能，把小型表面安装集成电路与微型电子元器件组装成一体而构成。DC－DC电源模块的利用有利于简化电源电路设计缩短研制周期，实现最佳指标等，可广泛运用于各种数字仪表和智能仪器中；
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PWM——脉冲宽度调制，是一种仿照掌握办法，根据相应载荷的变革来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通韶光的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变。这种办法能使电源的输出电压在事情条件变革时保持恒定，是利用微处理器的数字旗子暗记对仿照电路进行掌握的一种非常有效的技能。脉冲宽度调制是利用微处理器的数字输出来对仿照电路进行掌握的一种非常有效的技能，广泛运用在从丈量、通信到功率掌握与变换的许多领域中；
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功率MOSFET——即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来掌握半导体（S）的场效应晶体管。功率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型，但常日紧张指绝缘栅型中的MOS型（Metal OxideSemiconductor FET），简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一样平常称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来掌握漏极电流，驱动电路大略，须要的驱动功率小，开关速率快，事情频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一样平常只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
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AC/DC调制IC——内含低电压掌握电路及高压开关晶体管。
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电池充电和管理IC——包括电池充电、保护及电量显示IC，以及可进行电池数据通讯“智能”电池 IC。
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热插板掌握IC（免除从事情系统中插入或拔除另一接口的影响）。
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MOSFET或IGBT的开关功能ic。
在这些电源管理IC中，电压调节IC是发展快、产量的一部分。各种电源管理IC基本上和一些干系的运用相联系，以是针对不同运用，还可以列出更多类型的器件。
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