公司产品包括光通信器件外壳、无线功率器件外壳、红外探测器外壳、大功率激光器外壳、声表晶振类外壳、3D 光传感器模块外壳、5G 通信终端模块外壳、氮化铝陶瓷基板、陶瓷元件、集成式加热器等，广泛运用于光通信、工业激光、消费电子、汽车电子等领域。
河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）是公司控股股东，实际掌握人为中国电子科技集团有限公司，终极掌握人为***国资委。
2016~2021年，公司收入从 2.31 亿元增长到了 10.14 亿元，5 年复合增速 34.4%；扣非净利润从2016年的 2409 万增长到 2021 年的 1.07 亿元，CAGR 34.6%。
2022 年 9 月 21 日，公司发布购买资产并召募配套资金交易报告书（草案）（修订稿），拟购买氮化镓通信基站射频芯片业务资产及负债 100%股权、博威公司 73% 股权、国联万众 94.6029%股权。
交易完成后，公司主营业务将从现有的电子陶瓷产品的研发、生产和发卖，变成拥有电子陶瓷产品的研发、生产和发卖，氮化镓通信基站射频芯片的设计、生产和发卖和碳化硅功率模块的设计、生产、发卖三大业务。
2、电子陶瓷：技能和工艺行业领先，自主可控供应发展动力
2.1、电子陶瓷产品运用广泛
电子陶瓷家当的上游包括电子陶瓷根本粉、配方粉、金属材料、化人为料等；中游是电子陶瓷材料，紧张包括：陶瓷外壳、陶瓷基座、陶瓷基片、片式多层陶瓷电容器陶瓷、微波介质陶瓷等。
电子陶瓷的下贱紧张是电子元器件，终极运用于终端产品，其运用领域非常广阔，包括光通信、无线通信、工业激光、消费电子、汽车电子等，紧张用于各种电子整机中的振荡、耦合、滤波等电路中。
与传统材料比较，陶瓷材料具有耐高温、耐磨损、耐堕落、重量轻等精良性能，电子陶瓷材料运用领域如下：
2.2、通信器件外壳：数据中央、基站培植推动用量提升
光通讯器件外壳紧张运用于光模块等器件。
光模块紧张用于实现电-光和光-电旗子暗记的转换。光模块由光发射组件（含激光器）、光吸收组件（含光探测器）、驱动电路和光、电接口等组成，紧张用于实现电-光和光-电旗子暗记的转换。
在发送端，电旗子暗记经驱动芯片处理后驱动激光器（LD），发射出调制光旗子暗记，通过光功率自动掌握电路，输出功率稳定的光旗子暗记。在吸收端，光旗子暗记输入模块后由光探测器（PD）转换为电旗子暗记，经前置放大器后输出相应速率的电旗子暗记。
光通讯器件外壳为金属墙－陶瓷绝缘子构造，为光模块等器件供应电旗子暗记传输通道和光耦合接口，供应机器支撑和气密保护，办理芯片与外部电路互连。
千兆光纤网络升级和 5G 通信培植推动光模块用量提升。
受制于电通信电子器件的带脱期制、损耗较大、功耗较高档，运营商逐步更换铜线网络为光纤网络，PON （无源光网络）技能是实现 FTTx 的最佳技能方案之一。
根据 LightCounting 的数据，2020年 FTTx 环球光模块市场出货量约 6290 万只，市场规模为 4.73 亿美元，随着新代际 PON 的运用逐渐推广，估量至2025年环球 FTTx 光模块市场出货量将达到9208万只，CAGR 为 7.92%。
5G 移动通信网络培植及商用化促进电信侧光模块需求增长。
LightCounting 数据显示，环球电信侧光模块市场需求将持续上升，2020年 21.66 亿美元，估量到2025年将达到 33.55 亿美元。
环球数据中央数量大幅增长，光模块主要性突显。
互联网及云打算的遍及推动了数据中央的快速发展。光通信技能在数据中央领域得到广泛的运用，极大程度提高了其打算能力和数据交流能力。光模块是数据中央内部互连和数据中央相互连接的核心部件，根据 LightCounting 的数据，2019 年环球数据中央光模块市场规模为 35.04 亿美元，估量至 2025 年，将增长至 73.33 亿美元，年均复合增长率为 13.09%。
光通讯器件外壳紧张运用于光模块等器件，光模块需求的持续增长将推动光通讯器件外壳市场的稳步壮大。
2.3、消费电子陶瓷外壳：5G 和下贱自主可控是紧张发展来源
公司消费电子陶瓷外壳紧张产品有声表滤波器（SAW 滤波器）外壳、晶振外壳等。声表滤波器（SAW 滤波器）是采取石英晶体、压电陶瓷等压电材料，利用其压电效应和声表面波传播的物理特性而制成的一种滤波专用器件。
当给 SAW 滤波器输大端输入旗子暗记后，在电极压电材料表面将产生与外加旗子暗记频率相同的机器振动波，该振动波以声波速率在压电基片表面传播，当该波传至输出端时，由输出端梳状电极构成的换能器将声能转换成交变电旗子暗记输出。SAW 滤波器是射频滤波器规模最大的市场，广泛运用于移动终端设备。
SAW 滤波器国产化提速，声表滤波器陶瓷外壳业务迎来机遇。
声表面波滤波器（含双工器）行业属于技能密集型制造业，设计开拓与制造工艺难度高，目前环球声表面波滤波器市场紧张被 Murata、高通、Skywork 等美日企业垄断。
海内滤波器厂商紧张分为两类：
一是中国电科集团下属的科研院所，包括中电科 26 所和德清华莹；
二是进军射频滤波器领域的上市公司或拟上市公司，如卓胜微、麦捷科技、三安光电、好达电子等。
声表滤波器外壳能够为芯片供应安装平台、供应气密性保护和实现电路互联，每个滤波器须要一个外壳对其进行保护。
随着国家半导体扶持政策的陆续出台、海内企业技能持续打破，SAW 滤波器国产化也在逐步提速，海内 SAW 滤波器外壳需求估量将稳步增长。
石英晶振是 5G 时期核心的电子零部件。
晶振的浸染是在电路当中产生振荡频率，供应高端基定时钟旗子暗记，是电子产品的“心脏”。
5G 技能在各方面都要做到非常精准，高效，因此对付贴片晶振的哀求会更高，必须要搭载稳定性更高，更精准的有源晶振，才能使 5G 设备更好地事情。
5G 时期即将登场，基站、智好手机、做事器等多个领域都对晶振有更大的需求。
贸易摩擦加速国产替代进程。
在去环球化、贸易摩擦、新冠疫情等不愿定外部成分影响下，海内家当链高下游均认知抵家当链、供应链安全与核心技能自主可控的主要性，海内通讯技能企业开始加快转向海内厂商采购，晶振国产替代进程加速。
陶瓷外壳紧张运用于封装石英晶体振子芯片，浸染紧张包括：
（1）为芯片供应安装平台，使之免受外来机器损伤并防止环境湿气、酸性气体对制作在芯片上的电极的堕落危害，知足气密性封装的哀求；
（2）实现封装外壳的小型化、薄型化和可表面贴装化；
（3）通过基座上的金属焊区把芯片上的电极与电路板上的电极连接起来，实现内外电路的导通。
在物联网和自主可控背景下，未来几年国产晶振外壳行业将明显受益。
2.4、技能和工艺行业领先，客户资源丰富
拥有成熟的技能和工艺。在材料方面，公司自主节制三种陶瓷体系，包括 90％ 氧化铝陶瓷、95％氧化铝陶瓷和氮化铝陶瓷，以及与其相匹配的金属化体系。
在设计方面，公司拥有前辈的设计手段和设计软件平台，可以对陶瓷外壳进行构造、布 线、电、热、可靠性等进行优化设计，具备氧化铝、氮化铝等陶瓷材料与新型金属封接的热力学可靠性仿真能力，知足新一代无线功率器件外壳散热和可靠性需求。
在工艺技能方面，公司具有全套的多层陶瓷外壳制造技能，包括原材料制备、流延、冲孔冲腔、金属化印刷、层压、热切、烧结、镀镍、钎焊、镀金等技能。
重视创新，不断加大研发投入。
电子陶瓷的技能壁垒包括电子陶瓷新材料、半导体外壳仿真设计、生产工艺三个方面，须要持续资金投入和创新。
2016 年以来，中瓷电子不断加大研发投入，研发用度占比均坚持在10%以上。
电子陶瓷行业专业性很强，技能和研发职员不仅须要具备一定的电子、光学、通信、材料、工业设计、化工、机器等专业知识，还须要对产品运用、工艺流程、设备改进等深刻理解和熟习。
公司重视创新和人才，2020、2021年研发职员占比分别为 28.6%和 33.6%，担保了公司的技能创新，构建了自身的核心竞争力。
具备丰富的客户资源，市场根本雄厚。
公司定位为高真个电子陶瓷外壳产品供应商，产品质量可靠，行业有名度较高。经由多年的积累，公司已成为大批国内外电子行业领先企业的供应商，乃至是核心供应商，并与其建立了长期、稳定的互助关系。
在光通信领域，环球多家著名的光电器件厂商均是公司客户；在无线通信领域，NXP、Infineon 等天下有名的半导体公司为公司客户；公司业与海内著名的通信厂商华为、复兴建立了互助关系，互助范围不断扩大。丰富的客户资源为未来发展奠定了良好的市场根本。
3、GaN 基站射频芯片：实现 IDM 布局，技能海内领先3.1、2026 年 GaN 射频器件市场规模有望到 24 亿美元
射频紧张用于实现无线通讯的发送和吸收。射频，是频率介于 300kHz~300GHz 之间的，可以辐射到空间中的高频互换变革电磁波的简称。
射频紧张用于实现无线通讯的两个实质功能——发送和吸收，即将二进制旗子暗记转变为高频率无线电磁波旗子暗记并发送，以及吸收无线电磁波旗子暗记并将其转化为二进制旗子暗记。从构造来看，射频可以拆分为天线、射频收发芯片、基带和射频前端。
比较 LDMOS 和 GaAs 器件，GaN 器件具有明显的性能上风。
目前射频市场紧张有三类器件：基于 Si 的 LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）器件，GaAs 器件，以及 GaN 器件。LDMOS 器件的缺陷是事情频率存在极限，最高有效频率在 3GHz 以下；GaAs 器件的缺陷是器件功率较低，低于 50W。
氮化镓（GaN）是氮和镓的化合物，与 Si 和 GaAs 等半导体材料比较，具有禁带宽度更大、临界击穿电场更高、饱和电子速率和电子迁移率更高、热导率更高、化学性子更稳定以及抗辐射能力更强等浩瀚上风，是射频领域的主要材料。
GaN 射频芯片成为 5G 移动基站首选芯片。
首先，Sub-6GHz 和毫米波频段组成 5G 标准频谱，LDMOS PA 带宽会随着频率的增加而大幅减少，仅在不超过约 3.5GHz 的频率范围内有效，采取 0.25 微米工艺的 GaN 器件频率可以高达其 4 倍，GaN 高频特性能更好的知足 5G 的哀求。
其次，对付毫米波(mmWave)固定无线接入(FWA)来说，要达到其目标千兆速率，须要实现非常高的输出功率，由于 GaN 每个信道的功率大于 GaAs、LDMOS 器件，以是利用 GaN 技能，天线阵列能够用更少的有源元件实现所需的功率输出，并可降落系统功耗，GaN 可降落系统功耗，从而节省运营商本钱，使系统更“环保”。Yole 估量，受益 5G 需求驱动，2026 年，GaN 射频器件市场规模有望达到 24 亿美元。
3.2、优质资产拟注入，实现 GaN 芯片设计、制造、封测、发卖布局
2022 年 9 月 21 日，公司发布购买资产并召募配套资金交易报告书（草案）（修订稿），拟购买氮化镓通信基站射频芯片业务资产及负债 100%股权、博威公司 73% 股权、国联万众 94.6029%股权。
个中，博威公司，主营业务为氮化镓通信射频集成电路产品的设计、封装、测试和发卖；国联公司，主营业务为氮化镓通信基站射频芯片的设计、发卖；氮化镓通信基站射频芯片业务资产及负债，紧张系中国电科十三所持有的氮化镓通信基站射频芯片之工艺设计、生产和发卖业务涉及的干系资产及负债。
本次交易完成后，中瓷电子实现了 GaN 通信射频芯片设计、制造、封装、测试和发卖的百口当链布局。
注入资产的 GaN 业务技能海内领先。
博威公司的 GaN 通信基站射频产品实现了 GaN 基站功放全频段、全功率等级、全系列开拓和家当化，产品质量达到海内领先、国际前辈水平，是海内少数实现 GaN 5G 基站射频芯片与器件技能打破和大规模家当化批量供货单位之一，客户覆盖海内通信行业龙头企业。
中电科十三所的 GaN 通信基站射频芯片业务紧张产品为 4/6 英寸 GaN 射频芯片，芯片指标达到国际领先水平，是海内少数实现批量供货主体之一。
4、SiC 功率模块：海内稀缺的 SiC 模块 IDM 标的
4.1、2027 年环球 SiC 市场规模估量 62.97 亿美元，6 年 CAGR 34%
碳化硅（SiC），是由碳和硅组成的 IV-IV 族化合物，具有稳定的热性能、化学性能和机器性能，在物理性子和化学性子上均具有显著的优点：物理性子上，SiC 具有高硬度、高耐磨性、高导热率、高热稳定性以及散热性好的特点；化学性子上，SiC 耐堕落性强，此外，SiC 表面易形成 SiO2 氧化膜，能防止进一步氧化，是第三代半导体的主要材料。
用 SiC 材料制造的功率半导体具有耐高温、耐高压、高频、大功率、散热好等特点。
禁带宽度大——耐高温：半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征引发明象，造成器件失落效。禁带宽度越大，器件的极限事情温度越高。SiC 的禁带靠近硅的 3 倍，可以担保碳化硅器件在高温条件下事情的可靠性。硅器件的极限事情温度一样平常不能超过 300℃，而 SiC 器件的极限事情温度可 以达到 600℃以上。
饱和电子漂移速率大——实现高频的性能：SiC 的饱和电子漂移速率大约是硅的 2 倍，这决定了碳化硅器件可以实现更高的事情频率和更高的功率密度。
热导率高——散热好，更易小型化：SiC 的热导率比硅更高，高热导率有助于碳化硅器件的散热，在同样的输出功率下保持更低的温度，SiC 器件也因此对散热的设计哀求更低，有助于实现设备的小型化。
击穿电场强度大——耐高压：SiC 击穿电场强度约是硅的 10 倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、事情频率和电流密度，并大大降落器件的导通损耗。2027 年环球 SiC 市场规模估量 62.97 亿美元。
目前，碳化硅半导体紧张运用于以 5G 通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、新基建为代表的电力电子领域，在民用、军用领域均具有明确且可不雅观的市场前景。
据 YOLE 数据，2021 年环球碳化硅功率半导体市场规模约为 10.9 亿美金，而到 2027 年环球碳化硅功率半导体市场规模将快速增至 62.97 亿美金，年均复合增长率约为 34%。
国际巨子主导 SiC 功率芯片及模块市场。
根据 Yole 发布的数据，目前 SiC 功率芯片及模块领域的企业以国际巨子为主。2021 年环球碳化硅功率半导体市场份额前五名的企业为意法半导体、英飞凌、Wolfspeed、罗姆、安森美。海内厂商如士兰微、泰科天润等在技能上存在一定打破，但是在市场份额上尚与国际厂商存在较大差距。
4.2、国联万众：海内稀缺的 SiC 模块 IDM 厂商
拟收购标的国联万众除拥有 GaN 干系业务后，还从事 SiC 功率模块及其芯片的设计、制造及测试。目前，国联万众正在进行芯片制造及封装测试专业化生产线培植，现已完成厂房培植、第一阶段的净化工程装修和主体设备安装、调试，预期在第一阶段生产线培植完成后，国联万众将具备碳化硅功率模块的设计、制造和封装测试的整体能力。
国联万众现有的碳化硅功率模块包括 650V、1200V 和 1700V 等系列产品，紧张运用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，未来拟攻关高压碳化硅功率模块领域，进一步对高压碳化硅功率芯片（自用）和模块干系的刻蚀技能、氧化工艺、减薄技能、封装技能等方面进行深入研发，抢占行业技能高地，在智能电网、动力机车、轨道交通等高压、超高压领域抢占市场份额，实现对 IGBT 功率模块的部分替代。
5、盈利预测与估值5.1、盈利预测
基于以下假设，我们估量 2022~2024 年，公司归母净利润为 1.64、2.10、2.68 亿元。
假设 1：暂不考虑 GaN、SiC 资产并表；
假设 2：2022~2024 年，通信外壳、消费电子外壳、汽车电子、工业和其他收入增速分别：30%、25%、20%；50%、50%、50%；30%、40%、50%； 10%、10%、10%；
假设 3：2022~2024 年，通信外壳毛利率:坚持在 30%；消费电子毛利率坚持在 32%；汽车电子毛利率坚持在 17%；工业和其他毛利率坚持在 32%。
假设 4：2022~2024 年，发卖用度率坚持在 0.6%；管理用度率为 3.5%、3.2%、3.0%；研发费率为 13.5%、13.3%、13.0%。
5.2、估值
公司是海内领先的电子陶瓷产品供应商。数据通信、5G 基站培植、元器件自主可控诉求增加，是公司电子陶瓷业务发展的紧张逻辑。
目前公司在积极推进 GaN 射频芯片和 SiC 功率模块资产的注入，交易完成后，公司将成为海内领先且稀缺的 GaN 射频芯片和 SiC 功率模块 IDM 厂商，打开了公司未来成长空间。
不考虑注入资产并表，我们估量 2022~2024 年，公司归母净利润为 1.64、2.10、2.68 亿元，EPS 为 0.78、1.01、1.28 元，当前股价对应 2022~2024 年 PE 为 123.1、96.1、75.5 倍，虽然公司估值高于行业均匀水平，但考虑到优质资产（2021 年注入资产扣非净利润为 2.59 亿元）的注入预期、GaN 射频芯片和 SiC 功率模块 IDM 厂商的稀缺性，公司当前估值仍为合理。
6、风险提示
资产注入交易失落败风险；下贱需求疲软风险；行业竞争加剧风险；原材料涨价风险等。
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