新品亮相！英诺赛科在APEC 2024隆重展示两款低压氮化镓DC-DC产品

英诺赛科是一家环球领先的8英寸 GaN IDM企业，旨在打造基于高性能硅基氮化镓的低碳、节能的能源生态系统。
在国际电力电子运用展览会（APEC）上，英诺赛科携全系列新产品和前辈运用方案，以“Fill the World with GaN”为主题，展示了氮化镓在多场景中的魅力。

个中，针对低压氮化镓，英诺赛科推出了几款全新运用，充电头网带你理解一下。

针对 BMS 运用领域，英诺赛科开拓了16S/120A BMS 评估板，搭配100V 双引导通VGaN （INV100FQ030A）实现充放电掌握与保护。
与Si 方案比较，其PCB占板面积及本钱降落40%以上。
得益于VGaN的器件性能，该方案不仅做到了体积小（65mm180mm），系统本钱低的上风，还实现了最佳散热性能。

个中，INV100FQ030A是一款100V 双引导通器件，可在电池管理系统、双向变换器的高侧负荷开关、电源系统中的开关电路等领域实现高效运用。

英诺赛科产品部Shawn表示：“一颗 VGaN 可以替代两颗共漏连接的背靠背Si MOSFET，实现电池充电和放电双向开关，进一步减小导通电阻，降落损耗。
VGaN 器件采取单 Gate 设计，通过掌握 Gate到 Drain1/Drain2 的逻辑，实现充电保护可放电、放电保护可充电；同时大幅减少器件数量，缩小占板面积，降落整体系统本钱。
”

INV100FQ030A采取兼容引脚设计，采取 FCQFN 4x6mm 封装，客户可以根据不同的运用需求进行规格选型。

为便于客户验证和导入，英诺赛科同步供应 BMS 系统办理方案，设计方案涵盖低边同口、高边同口、高边分口等。
INV100FQ030A 在电池管理系统 (BMS) 中表示出明显上风，具备巨大的市场潜力。

为了知够数据中央高功率密度的需求，1kW 48V-12V方案在原边（100V器件）和副边（40V器件）都采取了GaN，同时为了最大限度地提高功率密度并简化电路，100V 器件选用了英诺赛科最新的集成SolidGaN（ISG3201），合业务内领先的磁集成矩阵变压器设计，将开关频率提升至1MHz，整体方案体积仅39mmx26mmx7.5mm， 峰值效率达98.5%。

1000W DCDC电源模块采取了两款 InnoGaN 氮化镓芯片设计而成，分别是ISG3201与INN040LA015A，可实现系统的高功率转换。

SolidGaN ISG3201 是一颗耐压 100V 的半桥氮化镓合封芯片，其内部集成了2颗 100V/3.2mΩ 的增强型 GaN 和1颗 100V 半桥驱动，通过内部集成驱动器，优化驱动回路和功率回路，显著降落寄生电感和开关尖峰, 进一步提高1000W 48V 电源模块系统的整体性能和可靠性。
产品面积（5mmx6.5mm）仅略大于单颗标准 5x6 Si 器件，相对付Si方案的PCB占板面积减小了73%。
针对谐振软开关运用，GaN 的软开关FOM 仅为 Si 的45%，这就意味着在高频软开关运用中，100V GaN 的性能更加优胜。

同时，该芯片还具有独立的高侧和低侧PWM旗子暗记输入，并支持TTL电平驱动，可由专用掌握器或通用MCU进行驱动掌握，是数据中央模块电源，电机驱动以及D类功率放大器等48V电源系统的最佳选择。

INN040FQ015A 是一颗耐压 40V 导阻 1.5mΩ 的增强型氮化镓晶体管，采取FCLGA 54 封装，体积小巧，同时具备极低栅极电荷和导通电阻，且反向规复电荷为零，不仅可以降落占板面积，支持1000W DCDC模块的高功率密度设计，更高的开关频率还能为系统供应更高的动态相应，为绿色数据中央赋能。

在2024年国际电力电子运用展览会（APEC）上，英诺赛科展示了其基于高性能硅基氮化镓的能源生态系统，包括用于电池管理系统的16S/120A BMS评估板，以及针对数据中央高功率密度需求的1000W DCDC电源模块。
这些方案和产品通过减少PCB占板面积、降落本钱、提升散热性能和效率，表示了氮化镓技能在大小、本钱和性能上的上风，适宜运用于电池管理、双向变换器、数据中央模块电源等多个领域。