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适当的量取决于带隙：最高霸占分子轨道(HOMO)和最低未霸占分子轨道(LUMO)之间的能级差。
格罗宁根大学超快光谱学教授Maxim Pshenichnikov阐明说：高能光子产生热电子的多余能量被材料作为热非常迅速地接管。
为了充分捕获热电子的能量，必须利用带隙较大的材料。
然而，这意味着热电子该当在失落去能量之前被传输到这种材料中。
目前获取这些电子的一样平常方法是减缓能量丢失，例如，通过利用纳米颗粒而不是块状材料。
在这些纳米颗粒中，电子开释热的多余能量选择较少。

Pshenichnikov与南洋理工大学的同事一起研究了一种系统，在该系统中，有机-无机稠浊钙钛矿半导体与有机化合物邻菲咯啉(Bphen)结合，后者是一种具有很大带隙的材料，科学家们利用激光引发钙钛矿中的电子，并研究产生的热电子行为。
研究利用了一种叫做泵-推探测的方法，分两步引发电子，并在飞秒韶光尺度上研究它们。
这使得科学家能够在钙钛矿中产生电子，其能级恰好高于bphen的带隙，而bphen中没有引发电子。
因此，这种材料中的任何热电子都可能来自钙钛矿。

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结果表明，来自钙钛矿半导体的热电子很随意马虎被bphen接管。
这是在不须要减慢这些电子速率的情形下发生，而且在块状材料中也是如此。
以是没有任何技巧，热电子就被收成了。
然而，科学家们把稳到所需的能量略高于bphen带隙，这是意想不到的。
显然，须要一些额外能量来战胜两种材料之间的界面障碍。
然而，这项研究为在块状钙钛矿半导体材料中网络热电子供应了事理证明，这些实验是用相称于可见光的真实能量进行，下一个寻衅是利用这种材料的组合来构建一个真正装置。