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艾为电子取得漏电检测专利能有效检测待测MOS管的直流漏电

深圳海外装饰工程通讯 2024-12-25 0

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专利择要显示,本实用新型履行例供应一种泄电检测装置和泄电检测系统,所述泄电检测装置,用于检测待测MOS管的直流泄电,包括:第一电压源,连接到所述待测MOS管的体端,用于供应第一方波电压;第二电压源,连接到所述待测MOS管的栅极,用于供应第二方波电压;同步触发器,连接到所述第一电压源和所述第二电压源,用于同步所述第一方波电压与所述第二方波电压,得到待测MOS管的导通时段的第一电压差以及待测MOS管的关断时段的第二电压差;直流电流计,用于检测待测MOS管的体端与源极或者所述体端与漏极之间的直流泄电在所述关断时段中的瞬态电流,所述第一电压差大于所述待测MOS管的导通电压阈值,所述第二电压差小于所述导通电压阈值。

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