先回答大家最关心的两个问题：
1、我们可以实现芯片彻底国产化了吗？
答：暂时还弗成。
2、不吹不黑，这个装备真的这么厉害吗，还是只是吹牛？
答：确实很厉害。
很多人只盯着新闻里22nm这个指标，实在大家要关注的是“365nm的光源，单次曝光芒宽可达22nm”。把稳到我加黑的那几个关键词了吗？22nm指标虽然很棒但是业界早就做过了，到底哪里厉害呢？以是关键是用365nm的光源单次曝光做到22nm，懂点光学的就知道这意味着什么：冲破了传统的衍射极限。
以是在我看来，这台机器最大的代价是验证了表面等离子体（SP）光刻加工的可行性。
这台SP光刻机与ASML光刻机比拟怎么样呢？举个不恰当的例子吧，这就像是初期的枪械与最厉害的弓箭的比拟。早期枪械，比如火铳，无论是射击精度还是射击间隔都远远比不上厉害的弓箭，但是如今的偷袭枪早已把弓箭甩开十万八千里了，这便是事理性的胜利。
要理解刚才说的这个“事理性的胜利”到底是怎么回事，我们首先得回顾一下以ASML为代表的传统光刻机是怎么做的。
上面是ASML光刻机大略的事理图，抛开繁芜的监测设备不谈，最核心的事理便是通过物镜系统将掩膜版上的图案进行缩印成像。涉及到成像过程，就不得不考虑光的衍射极限。即便抛开所有的几何像差，由于衍射的浸染，一个无限小的点成像后也会变成一个弥散斑，被称为“艾里斑”。因此实际光学系统成像的分辨率便是两个艾里斑恰好能够分开的间隔。
以是由于衍射效应，成像分辨率会受到限定，终极的分辨率取决于波长、数值孔径等参数，波长越小、数值孔径越大分辨率则越高。以是ASML这些年来紧张的研究方向便是利用更短的波长（近紫外-深紫外-极紫外）、增大数值孔径（更繁芜的物镜、液体浸没）。但是每进一步都变得更加困难，对系统设计、加工装置、偏差检测等等诸多方面都提出了更为苛刻的哀求，本钱也越来越高昂。
那么表面等离子体光刻又是怎么一回事呢？表面等离子体指的是一种局域在物质表面的分外的电磁波，随着离开物质表面间隔的增大迅速衰减，一样平常认为波长量级以上的区域就不存在了。
更为神奇的是，虽然表面等离子体波是由其他电磁波引发的，但是波长会被极大地压缩，而压缩的比例取决于材料的电磁性子等参数。
这就意味着，利用表面等离子体波进行光刻时，从事理上就不在受到传统衍射极限的限定了。
在光刻机研制方面，我们一贯有两个选择：沿用ASML的老路走一遍，还是另辟路子通过新事理弯道超车？我们国家目前两个选择都在做。而这台SP光刻机的研制成功，便是让我们看到了弯道超车的可能性。实在从事理上，这切实其实就不是弯道超车了，而是在别的人还在绕山路的时候，我们考试测验着打了一条隧道……虽然还没有完备挖通，但曙光就在面前了。
