电容器的紧张参数有标称电容量和容差、额定电压、绝缘电阻、损耗率，这些参数紧张由电容器中的电介质决定。电容器产品标出的电容量值。
云母和陶瓷介质电容器的电容量较低(大约在5000pF以下);纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容器居中(大约在0.005μF ~1.0μF);常日电解电容器的容量较大。
电容器紧张参数
1、标称电容量和容差
标称电容量是标在电容器上的电容量。
电容器实际电容量与标称电容量的偏差称容差。某一个电容器上标有220nJ，表示这个电容器的标称电容量为220nF，实际电容量应220nF±5%之内，此处J表示容量偏差为±5%。若J改为K，表示偏差为±10%;改为M表示偏差为±20%。
2、额定电压
在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一样平常直接标注在电容器外壳上，如果事情电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久破坏。
3、绝缘电阻
空想的电容器，在其上加有直流电压时，应没有电流流过电容器，而实际上存在有眇小的泄电流。直流电压除以泄电流的值，即为电容器的绝缘电阻。其范例值为100 MΩ到10000MΩ。现在CL11、CBB22等塑料薄膜电容器的绝缘电阻值可达到5000MΩ以上。电容器的绝缘电阻是一个不稳定的电气参数，它会随着温度、湿度、韶光的变革而变革。绝缘电阻越大越好。
4、损耗率
电容器的损耗率是电容器一周期内转化成热能的能量与它的均匀储能的比率，常日用百分数表示。电容器转化成热能的能量紧张由介质损耗的能量和电容所有的电阻所引起的能量损耗，在直流电场的浸染下，电容器的损耗以泄电阻损耗的形式存在，一样平常较小，在交变电场的浸染下，电容的损耗不仅与泄电阻有关，而且与周期性的极化建立过程有关。有些电容器如电解电容在互换旗子暗记下事情损耗随频率迅速增加，只能在直流或低频事情。
5、频率特性
随着频率的上升，一样平常电容器的电容量呈现低落的规律。
电容器参数的基本公式
6、 相位角 Ф
空想电容器：超前当前电压 90度
空想电感器：滞后当前电压 90度
空想电阻器：与当前电压的相位相同
7、耗散系数 （%）
损耗角正切值 Tan δ
在电容器的等效电路中，串联等效电阻 ESR 同容抗 1/ωC 之比称之为 Tan δ， 这里的 ESR 是在 120Hz 下打算得到的值。显然，Tan δ 随着丈量频率的增加而变大，随丈量温度的低落而增大。
D.F. = tan δ （损耗角）= ESR / Xc = （2πfC）（ESR）
损耗因数，由于电容器的泄露电阻、等效串联电阻和等效串联电感，这三项指标险些总是很难分开，以是许多电容器制造厂家将它们合并成一项指标，称作损耗因数，紧张用来描述电容器的无效程度。损耗因数定义为电容器每周期损耗能量与储存能量之比。又称为损耗角正切。
图1中，电容的透露电阻Rp、有效串联电阻Rs和有效串联电感L式寄生元件，可能会降落外部电路的性能。一样平常将这些元件的效应合并考虑，定义为损耗因数或DF。
电容的泄露是指施加电压时流过电介质的眇小电流。虽然模型中表现为与电容并联的大略绝缘电阻Rp，但实际上透露与电压并非线性关系。制造商常常将将泄露规定为 MΩ-μF 积，用来描述电介质的自放电韶光常数，单位为秒。其范围介于 1 秒或更短与数百秒之间，前者如铝和钽电容，后者如陶瓷电容。玻璃电容的自放电韶光常数为 1,000 或更大；特氟龙和薄膜电容（聚苯乙烯、聚丙烯）的泄露性能最佳，韶光常数超过 1,000,000 MΩ-μF。对付这种器件，器件外壳的表面污染或干系配线、物理装置会产生泄露路径，其影响远远超过电介质泄露。
有效串联电感 ESL（图 1）产生自电容引脚和电容板的电感，它能将一样平常的容抗变成感抗，尤其是在较高频率时；其幅值取决于电容内部的详细布局。管式箔卷电容的引脚电感显著大于模制辐射式引脚配置的引脚电感。多层陶瓷和薄膜电容的串联阻抗常日最低，而铝电解电容的串联阻抗常日最高。因此，电解电容一样平常不适宜高频旁路运用。
电容制造商常常通过阻抗与频率的关系图来解释有效串联电感。这些图会显示：在低频时，器件紧张表现出容性电抗；频率较高时，由于串联电感的存在，阻抗会升高。
有效串联电阻 ESR（图 1 的电阻 Rs）由引脚和电容板的电阻组成。如上文所述，许多制造商将 ESR、ESL 和泄露的影响合并为一个参数，称为“损耗因数”或 DF。损耗因数衡量电容的基本无效性。制造商将它定义为每个周期电容所丢失的能量与所存储的能量之比。特定频率的等效串联电阻与总容性电抗之比近似于损耗因数，而前者即是品质因数 Q 的倒数。
损耗因数常常随着温度和频率而改变。采取云母和玻璃电介质的电容，其 DF 值一样平常在 0.03% 至 1.0% 之间。室温时，陶瓷电容的 DF 范围是 0.1% 至 2.5%。电解电容的 DF 值常日会超出上述范围。薄膜电容常日是最佳的，其 DF 值小于 0.1%。
8、品质成分
Q = cotan δ = 1/ DF
9、等效串联电阻ESR（欧姆）
ESR = （DF） Xc = DF/ 2πfC
10、功率花费
Power Loss = （2πfCV2） （DF）
11、功率因数
PF = sin δ （loss angle） – cos Ф （相位角）
12、阻抗 Z
在特定的频率下，阻碍互换电流利过的电阻即为所谓的阻抗（Z）。它与电容等效电路中的电容值、电感值密切干系，且与 ESR 也有关系。
Z = √ ［ESR^2 + （XL - XC）^2 ］
式中，XC = 1 / ωC = 1 / 2πfC
XL = ωL = 2πfL
电容的容抗（XC）在低频率范围内随着频率的增加逐步减小，频率连续增加达到中频范围时电抗（XL）降至 ESR 的值。当频率达到高频范围时感抗（XL）变为主导，以是阻抗是随着频率的增加而增加。
13、泄电流
电容器的介质对直流电流具有很大的阻碍浸染。然而，由于铝氧化膜介质上浸有电解液，在施加电压时，重新形成的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为泄电流的电流。常日，泄电流会随着温度和电压的升高而增大。
14、纹波电流和纹波电压
在一些资料中将此二者称做“涟波电流”和“涟波电压”，实在便是 ripple current，ripple voltage。 含义即为电容器所能耐受纹波电流/电压值。 它们和ESR 之间的关系密切，可以用下面的式子表示：
Urms = Irms × R
式中，Vrms 表示纹波电压，Irms 表示纹波电流，R 表示电容的ESR
由上可见，当纹波电流增大的时候，纵然在 ESR 保持不变的情形下，涟波电压也会成倍提高。换言之，当纹波电压增大时，纹波电流也随之增大，这也是哀求电容具备更低 ESR 值的缘故原由。叠加入纹波电流后，由于电容内部的等效串连电阻（ESR）引起发热，从而影响到电容器的利用寿命。一样平常的，纹波电流与频率成正比，因此低频时纹波电流也比较低。
电容器参数打算
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