文章目录
[+]
据TNN 2月8日宣布，印度科学研究所（IISc）与三星电子的子公司三星半导体印度研究所（SSIR）互助，促进片上静电放电（ESD，两个带电物体之间电流的溘然和瞬间流动）保护领域的研发。
IISc表示：“该互助伙伴关系寻求建立前辈的ESD设备办理方案，以保护前辈集成电路（IC）和片上系统（SoC）产品中的超高速串行接口。”
图片来自：TNN
（图片来自网络侵删）
干系研究将由印度科学院电子系统工程系（DESE）的Mayank Shrivastava教授团队进行，该研究产生的办理方案将支配在三星的前辈工艺节点中。
“IC和SoC对付我们周围的任何系统，无论大小，都是必不可少的，但它们对ESD故障非常敏感，特殊是那些利用前辈的纳米级CMOS（互补金属氧化物半导体）技能开拓的系统，大多数IC芯片故障和现场退货都归因于ESD故障，”印度科学研究所阐明了此类研发的背景。
IISc补充说，ESD干系技能是一种罕见的专业知识，拥有设计ESD保护设备和接口观点的行业引领市场，因此，用于高可靠接口和低功耗高速运行SoC的ESD技能的研发是半导体创新事情的主要组成部分。
（编译：晋阳）
