为了使半导体材料有用，须要掺杂杂质原子，它可能是一个五价原子来产生一个 n type material，或者它可能是一个三价原子来产生一个 p type material。
现在如果我们带有三价原子，另一半带有五烯醇原子，这将导致半导体器件具有 p 类型和 n 类型部分。它们相遇的地方有一个 pn 结，在这个***中，我们要谈谈这个 pn 结。
由于它是二极管的根本，掺杂本征半导体材料后常日是硅，以是它的一部分是 p 类型，另一部分是 n 型 p。
在 p 之间的边界处形成 n 结和 n 个地区，而在 n 区域大多数携带是免费的。当 pn 结形成自由电子，N 区开始扩散穿过交界处，并与 P 区的孔结合，这使得 N 区失落去自由电子并产生一层交界处附近的正电荷。当自由电子与空穴结合时，P 区也会失落去孔洞，并产生一层负电荷。
在交界处附近，这两层正负电荷创建区域载流子耗尽的地方，这个区域被恰当地称为耗尽区。在现实中，耗尽区形成于短韶光，与 P 比较，它的宽度非常薄。和 n 个地区，耗尽区将连续扩大，耗尽区的负电荷排斥电子进一步扩散到 P 区。
这次地区作为移动的障碍，电子穿过结，面有许多正负电荷，对立的双方根据库仑定律，正电荷和负电荷彼此靠近，有一股力量浸染在这些电荷上，积极和悲观之间的力量。耗尽区电荷创造一个电场来阻挡自由，N 区域流过结。
为了电子通过这个电场，一定量的电压即是电场的势垒电位，必须穿过 PN 结，具有适当的极性。
让我们试着剖析 PN 结的形成和耗尽区。通过能量图，价带和导带的能级在一个 n 低于价带和导带。
在 p 型材料中，这是由于 trivalent impurities 三价杂质对外壳电子施加较低的力，意味着电子轨道稍大，并且有更大的能。
如果试图检讨 PN 结的能量图，在形成的瞬间，可以看到价态和传导禁带在 N 区域明显较低，能级与 P 区价带和导带比较。
但可以也看到 N 区导带上部和 P 中导带的下部，在这种情形下，免费的区域中传导的上部很随意马虎扩散到 PN 结，并暂时得到自由。P 下部的电子区域导带暂时的由于过了 PN 路口之后，这些自由电子迅速失落去能量坠落，进入 P 区平衡带的空穴，作为来自上部的自由电子，耗尽区开始形井扩大。
但是 n 区等带的能级也开始感 ion，这个过程将连续下去，直到有没有电子留在 n region conduction band，有足够的能量穿过路口，那时交界处在，平衡和耗尽区域完成。
由于扩散完成了，正如您在能量图中看到的那样，P 底部的导带，区域导带热在对齐。在这段韶光里座能量山，n 区域必须爬升才能到达 P 区域。这里要把稳的男仲事是，以是能 ion，价带与导通之调的间隙，n 区的波段像持不变。
在这个***中，我们谈论了 PN 结以及枯竭区的形成，我们还谈论了势垒电位和 PN 结和耗尽区。如果您有任何问题，把它留不才面的评论中。如果你以为这很有趣或有帮助，给它一个赞...
