在这里，来自河南大学等单位的研究职员报告了443 nm的深蓝色无镉QLEDs，利用掺杂Sn的ZnO减少电子过注入，提高了效率和利用寿命。理论和实验结果表明，Sn掺杂导致ZnO导带上移，并降落其电子迁移率和毛病位置。因此，器件中的电子过注入被抑制以实现电荷平衡，量子点中的激子猝灭被减少以改进辐射复合。结果，器件的外量子效率从5.1%提高到13.6%，器件寿命增强了21倍，达到305小时，是迄今为止基于ZnSe的QLED中最好的。这些结果为深蓝QLED的商业化供应了一条有效路子。干系论文以题目为“Alleviating Electron Over-Injection for Efficient Cadmium-Free Quantum Dot Light-Emitting Diodes toward Deep-Blue Emission”揭橥在ACS photonics期刊上。
论文链接：
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsphotonics.2c00155
高性能量子点发光二极管（QLEDs）由于其优秀的光电特性，有望在显示和固态照明技能方面得到长期发展。须要特殊指出的是，镉基量子点（Cd-QDs）（如CdSe、CdS等）在许多发光材料中表现强劲，电致发光（EL）效率已达到理论极限30.9%。只管如此，镉对人类和环境的毒性严重阻碍了以Cd量子点为发射体的QLEDs的进一步开拓和商业化。同时，由于量子点的深能带和丰富的毛病态，实现高效率的蓝光发射，尤其是深蓝光发射（EL<450 nm），QLEDs已经成为一个紧张问题。因此，实现无镉和高效深蓝色排放这两个目标既紧迫又具有寻衅性。
ZnSe基量子点被认为是最有出息的无镉蓝色量子点系统。然而，选择载流子传输材料对付调度ZnSe基量子点的宽能带以实现良好的电荷传输特性，从而得到高效发光至关主要。高电子迁移率的ZnO纳米颗粒和与量子点的良好能级对准，显示出优胜的电子注入能力，是最常用的电子传输层（ETL）。在深蓝色QLED中，PVK常用作空穴传输层（HTL），但其空穴迁移率掉队于氧化锌三个数量级。同时，PVK和量子点之间的大空穴注入势垒阻碍了有效的空穴注入，导致器件运行期间电子过注入，从而导致严重的电荷注入不平衡。（文：爱新觉罗星）
图1。（a）Sn的XPS光谱。（b）根据ICP-OES数据打算的锡实际含量。（c）XRD图谱。（d）的均匀粒径变革TEM结果（e）和（f）的晶体构造示意图以及相应的M−O键长数据。
图2。（a）UPS光谱，（b）Tauc图，以及（c）谱带排列（d）掺杂前的能带构造（e）在掺锡之后。（f）电流密度−纯电子器件和纯空穴器件的电压特性。
图3。（a）电流密度−亮度−电压特性。（b）这些器件的亮度干系EQE和电流效率。（c）QLEDs在恒定电流下的运行稳定性。（d）施加电压为6 V时的EL光谱。（e）提出了这些深蓝色发光器件的载流子注入和复合机制。
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