联华电子宣布推出40奈米SST嵌入式快闪记忆体製程

东芝电子元件&存储产品公司稠浊旗子暗记晶片部门副总松井俊也表示：「我们期待採用联华电子40奈米SST技能有助于提升我们MCU产品的性能。
与联电互助，透过稳定的製造供应及合营我们的生产需求供应灵巧的产能，亦将使我们能够保持强劲的业务连续性操持 (BCP)。
」

已有超过20个客户和产品正以联华电子55奈米SST嵌入式快闪影象体製程进行各阶段的生产，包含了SIM卡，金融交易，汽车，物联网，MCU及其他运用产品。

联华电子分外技能组织协理丁文琪表示：「自2015年供应55奈米SST嵌入式快闪影象体成为主流技能以来，我们一贯受到客户的高度关注，藉此製程平台所具有的低功耗、高可靠度及卓越的数据保留和高耐久性的特性，可用于汽车、工业、消费者和物联网的运用。
我们很高兴将这些产品进入大批量产，并正努力将这嵌入式快闪影象体办理方案扩展到40奈米的技能平台，期待将SST的高速率和高可靠性上风带给东芝和其他晶圆专工客户。
」

联华电子坚实的分离式闸极影象体单元SST製程，依据JEDEC所制订的规范标准，具100K耐久性和在85℃及事情温度范围为-40℃至125℃温度下，数据可保存10 年以上。
除40奈米 SST製程外，还有20多家客户利用该公司的55奈米SST技能生产各种运用产品。