36氪首发 | 「安建半导体」获1.8亿元B轮融资抓住半导体功率器件的中国机遇

编辑 | 高雅

36氪获悉，半导体功率器件厂商「安建半导体」已于近日获1.8亿元B轮融资，本轮融资由超越摩尔投资领投，弘鼎成本、龙鼎投资、联和成本、君盛投资和金建诚投资跟投。
召募资金将紧张用于高、低压MOS和IGBT全系列产品开拓、第三代半导体SiC器件开拓和IGBT模块封测厂培植。

半导体功率器件市场是兼具存量和增量的中国机遇。
存量的机遇源于中国市场的需求量并不能靠自身知足，IHS（数据供应商埃信华迈）数据显示，中国市场对半导体功率器件的需求量霸占了环球35%，然而位列环球功率半导体市场前八名的公司中，并无一家中国企业，这八家的市场份额占比达55.4%。

其次，这是一个增长型市场。
2018年，环球功率器件市场规模约为391亿美元，这一数字估量到2021年可达441亿美元，年复合增长率为4.1%。
该预测中，中国市场的需求量也将随整体市场一起扩大，估量2021年中国市场规模可达159亿元。

「安建半导体」对标的正是环球前八名的功率半导体企业，其专注于半导体功率器件的研发、设计和发卖，是赋能高端芯片国产化的企业之一。

功率半导体是电力设备的核心器件，其紧张浸染是为电力系统供应变频、变压、变流、电机推动和功率管理等功能。
因此，所有的电力设备都须要用到半导体功率器件。
目前，MOS管和IGBT是运用最广泛的功率器件，占比90%以上。
这两者也是「安建半导体」的紧张业务。

个中，MOS管是根本功率器件的一种升级形式。
最早的功率器件是三极管，事理是当基极与发射极为正时导通，反之截止¹；MOS管是人们在三极管根本上的进一步发明，其分外的构造能够实现高开关频率，但击穿电压²高会增加阻抗，造成较大的损耗；

IGBT则更进一步的中和了MOS管和双极管的性能特性，其可利用的功率范围更宽，可以在MOS管不适用的大电压和大电流场景中利用，但在频率上略有捐躯。

资料来源：方正证券研究所

「安建半导体」成立于2016年，彼时就选择了一条由难到易的技能路线。
低压MOS管中，电压越低制作难度越大³，「安建半导体」第一款产品便是25V的低压MOS，难度最高。

此外，在IGBT领域，「安建半导体」也选择以海内最顶尖的技能节点切入⁴。

「安建半导体」创始人单建安见告36氪，这样的选择是由于「安建半导体」成立之初资金并不充裕，这款产品向市场展示了「安建半导体」的技能实力。
彼时和「安建半导体」互助的晶圆厂只管还未达到天下最顶尖的水平，但「安建半导体」凭借制造端较低的技能节点，产品性能就能够媲美国外有名芯片大厂。

产品推出往后，很多大型企业选择将「安建半导体」作为互助伙伴，产品力也为「安建半导体」后续融资打下了根本。

本轮投资方厦门联和成本投资总监叶振彪就表示，功率器件是电力电子设备的心脏，单建安教授组建的安建团队是海内少数从前辈功率芯片进行正向研发，从而涉足功率器件以及功率模组业务的精良公司。

目前「安建半导体」的产品线已经涵盖大部分MOS管和IGBT产品，个中已有三条产品线实现量产，分别是低电压的SGT-MOS管（屏蔽栅金属氧化物场效应晶体管）、高电压的SJ-MOS管（超结金属氧化物场效应晶体管）、Field Stop Trench IGBT（场截止沟槽型绝缘栅双极晶体管），产品均具有高性能高可靠性。

未来，「安建半导体」还将针对不同运用处景还将连续开拓不同性能和不同规格的产品，实现功率器件所有电压和电流全覆盖，完成做全系列高低压MOS管和IGBT产品的目标。

「安建半导体」供图

同时，「安建半导体」还操持推出车规级产品。
「安建半导体」A轮投资方夸夸其言创投联合创办人及管理合资人文立表示，IGBT是数百亿美元级别的赛道，近几年多在电车、储能、光伏、高压电等领域得到广泛运用。

这些领域恰好也是近几年逐渐成为风口的新物种，因此该领域功率器件还未实现标准化。
尤其是汽车领域对安全性的追求较高，也就同样哀求功率器件具有非常高的可靠性。
单建安向36氪透露，「安建半导体」正在与上海汽车商谈计策互助，研发运用于其新能车的IGBT产品。

另一探索点是朝着第三代半导体的趋势做研发。
目前，传统半导体的衬底多以硅为主，而第三代SiC半导体是将碳化硅取代硅作为衬底，这可以使新一代半导体更薄、更轻、更小巧，并能够在大电压大电流场景中实现更高性能。
「安建半导体」现有产品仍因此硅为衬底，未来将会用碳化硅材料开拓更多的功率器件产品。

此外，「安建半导体」还希望打通制造环节。
环球主流厂商都是IDM模式（设计制造一体化），其上风是设计和制造环节能够更好的合营。
而中国鲜有IDM企业，「安建半导体」操持在未来组建模块制造厂，再和晶圆制造厂做绑定互助，这是一种虚拟IDM模式⁵。

团队方面，创始人单建安本硕博毕业于加拿大多伦多大学电气工程专业，1988年博士毕业后任美国纽约飞利浦研究所高等研究员，1991年返国一同创办喷鼻香港科技大学，任电子与打算机工程系教授。
在港科大任教期间，单建安一贯在做功率器件的技能储备和人才培训，2015年受邀参与中国喷鼻香港上市公司华虹半导体主要会议，会颠末议定定双方绑定互助，次年正式成立「安建半导体」研发半导体功率器件。

谈及初心，单建安向36氪表示，“自就读加拿大多伦多大学以来，在国外共生活了17年，但自始至终没有在异国常住的操持，当时看到中美在这个领域的差距，无时无刻不想着早日返国为祖国半导体奇迹贡献自己的力量。
”

末了作为补充，我们对不同运用处景中不同功率器件和不同封装技能进行解释。
按照功率高低进行划分，低电流低功率场景中常日封装到单管，而在高电流高功率场景中，单管每每是不敷以支撑的，以是须要将多个功率器件封装到一个模块里。
MOS管和IGBT的差异也表示于此：MOS管由于其自身阻抗大的特点，天然不适用于大电流场景，因此MOS管多为单管，而IGBT既能封装到单管也能封装到IGBT模块。

「安建半导体」IGBT单管（左）、IGBT模块（右）

「安建半导体」投资方不雅观点：

超越摩尔董事总经理史晶星博士表示，功率器件是中国最大概率可以实现弯道超车的赛道，也一贯是超越摩尔的重点布局方向之一。

弘鼎创投资深经理潘本闳表示，目前，安建半导体产品紧张面向工业场景，这一领域的高电压大电流产品以国外为主，在高性能领域，中国企业面临很高的进入壁垒。
安建半导体团队有非常深厚的技能秘闻，产品已经多方认证，看好安建在该领域的国产化替代空间。
其余，当下新能车逐步替代燃油车，电的供应成为下一个要考虑的问题，以优化用电的办法提高效能将成为行业趋势，未来该领域将成为安建半导体的一大增长点。

龙鼎投资总经理姚鹏也认为，安建半导体能够在海内落地，适应了时期向汽车电动化以及新能源发展的方向，更填补了行业的不敷。

君盛投资管理有限公司董事总经理邓立军表示，国家“双碳”计策背景下，光伏新能源、电动汽车、工业掌握等行业对功率半导体的需求持续兴旺，IGBT、MOSFET等功率半导体具有非常广阔的成长空间。
供应链国产化的契机，为海内真正有技能实力的创业公司供应了绝佳的机会。

尾注：

【1】截止指的是电流不导通。

【2】当事情电压小于击穿电压时，功率器件正常事情；超出击穿电压时，功率器件失落效。

【3】功率即是电压的平方比上电阻，在电压小的情形下，就须要MOS管的阻抗更低。

【4】技能节点越高，IGBT的开拓难度越大。

【5】虚拟IDM指的是通过绑定互助，提前锁定晶圆制造厂产能的一种新IDM模式。