所谓断电影象也便是数据在断电重启之后保持断电前的数值。
MCU的存储器分为两类：RAM和ROM。
两者的最大差异是RAM在断电往后保存在上面的数据会自动消逝，而ROM不会自动消逝，可以永劫光断电保存。
为了实现断电影象，须要把数据写入到ROM，即FLASH中。
不幸的是，FLASH有两个致命的缺陷：
1)擦写次数有限，一样平常仅有10万次的擦写次数，超过擦写次数，FLASH将被破坏。
2) FLASH的存储位只能由1改为0，如果须要将0改为1，则须要将数据擦除，最小擦除的单位为1个page。对付STM32F103为2KB，对付STM32F051为1KB。
通过BACKUP寄存器实现断电影象Cortex系列的处理器还有一种backup寄存器供断电影象数据利用，比如给RTC时钟利用。
该寄存器的数据可以由VBAT的电压来坚持，而一样平常VBAT电压由纽扣电池供电。
比如，我们选择CR1220的电池，其容量为40mAh, VBAT的事情电流低到2uA。
CR1220的电池可以担保backup寄存器的数据在断电之后一年内不丢失。
通过FLASH实现断电影象美中不敷的是，STM32F103仅有84个字节的backup寄存器。
当须要断电影象的数据比较多时，还是须要将其存入到FLASH中。
可以分为两种数据：
1）不会常常改变的数据，比如用户设置的运行参数（比如密码、温控器的温度阈值等）。
对付这种数据，只须要做几分钟的缓存，在数据改变过后几分钟再写入FLASH即可。
纵然数据未存入FLASH，用户重新设置即可。由于发生概率低，也不会有什么问题。
2）改变频率非常高的数据，比如计数器，有一个客户将我们的掌握器用于流水线上的计件。
基本上1s数据加一次，而且哀求绝对准确。
担保任何不能错计任何数据。
对付这种运用，如果还是采取1分钟缓存的方法，10万次的擦写次数大概可以利用66天，不能知足哀求。
而且如果在这1分钟内发生了断电，数据没能写入FLASH，将会导致这段韶光的数据丢失。
当时，由于backup 寄存器数据有限，不得以须要采取FLASH来存储。
技能方案断电延时电路
如上的电路图所示，二极管D1用于电源反接的保护，V+经由R1、R2的分压以及C5的滤波之后送入MCU的A/D口，用于检测电源电压。
补充：有网友留言，把检测电压的电路接到反向保护二极管的负极没有办法检测到掉电，放在正极是否更好？
我们的考虑是，放在D1的正极，当有负电压输入时（比如脉冲群），负电压经由R1，R2会直接到IO口，会形成所谓的潜通路。瞬间几千V的高压，是否会造成R1、R2以及IO口破坏，值得研究。
为了担保可靠，就放在了负极，避免了形成潜通路，同时对高频正脉冲可以通过E1，C1的可靠过滤。
当掉电时，E1开始放电，此时并不能立即检测到掉电，当放电至22V时，MCU认为掉电了，开始实行相应动作。
摧残浪费蹂躏了从23.2V到22V旁边的能量，由于负载电流小，摧残浪费蹂躏这点能量并不导至C1无法取值。以是还是值得的。
小小的细节，却能表示我们设计电路时的寻思熟虑，这得益于我们的团队之前从事汽车电子所形成的可靠性设计的思维。
E1用于储能，用于当电源断电时，给MCU供电，担保存储在RAM中的数据可靠存入FLASH。
采取大电容给掌握器供电，MCU实时检测输入电压。
做了几下的设计改进：
1)MCU的供电和其它负载(比如继电器、WiFI模块等）的供电分开，MCU专门由一起电源供电。
2)让用户采取掌握器所支持的最高事情电压为24V的电源供电。
3)在100us的定时中断时，启动A/D转换并读上次转换数据，如果读到的转换数据所对应的电压低于22V，则解释发生电源断电，立即割断所有输出，以及一些内设模块。从而在100us内就将功耗降到最低。
4) 在主程序中，判断由定时中断置位的断电标志，如果判断有检测到断电，降落主频，
立即将须要断电存储却暂存在RAM保存的数据写入FLASH。
电容容量的打算DC-DC最低输入电压为5.0V旁边。
STM32F103在禁用外设时，其事情电流大概为8mA@16MHz。
算上DC-DC的效率80%，以及DC-DC和LM1117的事情电流，以8/80%+2mA=12mA打算。
FLASH擦除韶光为40ms/page, 写入速率为70us/1bit。
假设须要存入的数据总量为1024Byte即512Word。
由擦写+写入须要花费的韶光为80ms，实际可以在运行过程中先擦写一个page备用，从而可以省去擦写的韶光，在这里，仍以80ms来考虑。
哀求断电之后，电容E1上的电压以12mA 的电流放电，从22V放电至 5V的韶光须要大于80ms。
根据电容流过电容的电流I=Cdu/dt，将电流、电压降、韶光等代入，得到：
C=12mA 80ms /(22-5)=56uF，可选择100uF的电容。
另一种打算方法可以从能量的角度考虑，打算更准确：
电容从22V放电至5V，所开释的能量为1/2C(2222-55)，考虑到DC-DC的效率0.8，到5V的能量为:
1/2C4590.8=5V12mAt=60mW80ms。
解得C=26uF。
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